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新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B

時間:2024-07-27 09:35:21 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B

摘要:SKHI22A/B是德國西門康(SEMIKRON)公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動模塊。文章介紹了SKHI22A/B的主要結(jié)構(gòu)特點和功能,給出了它的具體應(yīng)用電路。

1 概述

SKHI系列驅(qū)動模塊是德國西門康(SEMIKRON)公司推出的一種新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊。SKHI系列驅(qū)動模塊主要有以下特點:

●僅需一個不需隔離的+15V電源供電?

●抗dV/dt能力可以達到75kV/μs?

●控制電路和IGBT主電路之間的隔離電壓可以達到4kV

●輸出峰值電流可以達到30A?

●同一橋臂上下開關(guān)管驅(qū)動信號具有互鎖功能,可以防止兩個開關(guān)管的貫穿導(dǎo)通?

●死區(qū)時間、VCE的監(jiān)控、RGON/OFF可以分別調(diào)節(jié),因而可以對不同用戶的特殊需求進行優(yōu)化?

●可以輸出差錯信號以通知控制系統(tǒng)?

●具有過流、欠壓保護功能。

下面主要以SKHI22A為例,對SKHI系列驅(qū)動模塊進行介紹。

2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理

SKHI22A/B引腳功能排列如表1所列。圖1所示是SKHI系列驅(qū)動器的內(nèi)部電路原理圖。

表1 SKHI22A的引腳功能

引腳號引腳名稱引腳說明P14GND/0V相應(yīng)輸入信號的地P13Vs電源 15V±4%P12VIN1上開關(guān)管的輸入開關(guān)信號1, 5V邏輯(對于SKHI22A/21A為 15V邏輯)P11FREE空置P10ERROR差錯輸出,低有效,集電極開路輸出,最大為30V/15mAP9TDT2通過接地或接Vs數(shù)字調(diào)節(jié)橋臂上下開關(guān)管的死區(qū)時間P8VIN2下管的輸入開關(guān)信號1, 5V邏輯(對于SKHI22A/21A為 15V邏輯)P7GND/0V相應(yīng)輸入信號的地S20VCE1接IGBT1的集電極(上開關(guān)管)S15CCE1通過外接RCE和CCE來調(diào)節(jié)參考電壓S14GON1接RON到IBGT1的基極S13GOFF1接ROFF到IBGT1的基極S12E1接IGBT1的發(fā)射極(上開關(guān)管)S1VCE2接IGBT2的集電極(下開關(guān)管)S6CCE2通過外掃RCE和CCE來調(diào)節(jié)參考電壓S7GON2接RON到IGBT2的基極S8GOFF2接ROFF到IGBT2的基極S9E2接IGBT2的發(fā)送極(下開關(guān)管)

2.1 SKHI22A/B的脈沖整形電路

SKHI中的脈沖整形電路的作用是在控制IBGT的脈沖信號輸入后,用短脈沖抑制電路對脈沖寬度小于500ns的開關(guān)脈沖進行抑制,以使其不能傳遞到IGBT,這樣可以有效的抑制電磁干擾引起的電壓尖峰對開關(guān)管的誤觸發(fā),從而提高驅(qū)動電路的抗干擾能力。另外,模塊還可以對輸入的觸發(fā)脈沖進行整形(例如常用的SG3525芯片所產(chǎn)生的脈沖在上升沿往往有電壓尖峰,而且在脈沖高低電平時有時電平會有波動),而且在經(jīng)過SKHI整形輸出以后,波形已十分標準,因而能可靠地對IGBT進行控制。

2.2 SKHI22A/B的脈沖互鎖電路

脈沖互鎖電路的互鎖時間由外接端子TDT1、TDT2和SECELT所接的高低電平來決定。同時可由這三個端子進行數(shù)字調(diào)節(jié)(SKHI22A只有TDT2)。這種設(shè)計可以使不同開關(guān)速度的開關(guān)器件的互鎖時間均大于IGBT的關(guān)斷延遲時間,從而避免貫穿導(dǎo)通。

2.3 SKHI22A/B的欠壓保護電路

模塊內(nèi)部欠壓保護電路的作用是當電源電壓低于+13V時,將差錯輸出端的電平拉低,以輸出差錯信號。

以上三部分控制電路被集成在一塊ASIC中,與一般的分立元件組成的電路相比,這樣可以大大的提高控制電路的抗干擾能力,同時可靠性也得到了提高。另外,SKHI系列器件的初級(控制部分)和次級(主電路部分)之間還可通過變壓器實現(xiàn)隔離。

2.4 SKHI22A/B驅(qū)動器的輸出級

SKHI驅(qū)動器件的輸出級采用MOSFET晶體管互補電路的形式以降低驅(qū)動源的內(nèi)阻,同時可加速IG-BT的關(guān)斷過程。圖2所示是其輸出級電路。圖中,MOSFET的源極分別和外部端子進行連接,這樣即可通過分別串接的RON和ROFF調(diào)節(jié)IGBT的開通和關(guān)斷速度;內(nèi)部集成電壓源可提高模塊的可靠性;通過調(diào)節(jié)電源電壓可以在不減。郑牵诺那闆r下提供滿功率輸出脈沖,從而防止因IGBT退出飽和而損壞。

2.5 SKHI22A/B的短路保護

SKHI模塊利用“延時搜索過電流保護”方法?通過檢測IGBT通態(tài)壓降的變化來實現(xiàn)IGBT的過電流保護。當電路出現(xiàn)短路時,出錯信號將由VCE輸入并通過脈沖變壓器傳遞到差錯控制器,以封鎖所有到IGBT的脈沖并觸發(fā)出錯信號端(P10)。該模塊通過調(diào)節(jié)檢測VCE電壓信號的延時可以避免錯誤短路信號;其內(nèi)部帶有故障缺省記憶功能,可以防止重復(fù)的高電流脈沖對開關(guān)管的損壞,經(jīng)過幾個重復(fù)的高脈沖之后可以永久封閉脈沖輸出。此外,它還同時帶有差錯信號輸出,可以通知主控制板做出相應(yīng)的動作。

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