SiC襯底上SiCGe外延薄膜的結構分析

全部作者： 陳治明 李連碧 林濤 蒲紅斌 李佳 李青民 第1作者單位： 西安理工大學 論文摘要： 用SEM和TEM對熱壁化學氣相沉積法(HWCVD)在SiC襯底上外延生長的SiCGe薄膜進行了結構分析，發(fā)現(xiàn)薄膜生長具有明顯的隨溫度改變的島狀生長特征，且遵循Stranski-Krastanov（SK）生長模式。溫度較低時，在生長初期形成的2D生長層的上方，樣品具有兩種不同的島狀結構：1種是球形結構，另1種是3角型層狀堆疊結構。前者形狀規(guī)則，在樣品中占主導地位，后者具有銳利整齊的臺階狀邊緣，數(shù)量較少。隨著溫度的升高，球形島逐漸減少，3角島逐漸增多，且在高溫下樣品中的3角島占主導地位。高分辨TEM 分析表明，高溫SiCGe/SiC樣品的界面清晰整齊，其生長初期形成的2D層厚度達到了40nm，幾乎為溫度較低時2D生長層厚度的兩倍。衍射花樣的標定表明：2D層和3角島為閃鋅礦型結構，而球形島則為金剛石型結構。 關鍵詞： SiC；SiCGe；島狀生長；熱壁化學氣相沉積 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2007年07月30日 同行評議：

論文研究分析了SiCGe在SiC襯底上外延生長過程中溫度對薄膜結構的影響。有1定的新穎性，對于該領域的研究人員有參考價值。但文中有1些小錯誤需要修改，如英文摘要中倒數(shù)第3行“TED”是否應該為“TEM”。還有，論文最好對實驗結果做1些更深入的討論，這樣可以提高論文的學術水平�！�

綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。

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